La luminosité de ces LED est suffisante pour implémenter la technologie de capteur et de communication la plus avancée. Les découvertes du MIT peuvent simplifier la fabrication et améliorer les performances des produits électroniques à l’échelle nanométrique. Normalement, le silicium rend la source de lumière moins efficace. Pour résoudre ce problème, les ingénieurs électriciens utilisent habituellement d’autres matériaux pour fabriquer des LED. L’objectif des chercheurs à base de LED à base de silicium pour résoudre le problème est la jonction spécialement conçue, qui est le contact entre les différentes zones de la diode pour améliorer la luminosité. Cette technologie améliore l’efficacité et permet aux LED de fonctionner à basse tension tout en générant suffisamment de lumière pour transmettre des signaux à travers un câble à fibre optique de 5 mètres.
En conséquence, la fab peut produire d’autres composants microélectroniques de silicium, tels que les transistors et les détecteurs de photons, tout en produisant des LED. Bien que la nouvelle LED intégrée ne dépasse pas les semi-conducteurs traditionnels III-V utilisés dans la fabrication de LED, il peut facilement vaincre les tentatives précédentes de LED à base de silicium. Les chercheurs voient qu’un jour la technologie LED peut être construite directement sur les processeurs de silicium sans nécessiter un processus de fabrication distinct. (Source: cnBeta)
